英特尔研发出全球首个混合硅激光器

来源：新浪科技作者：出处：巧巧读书 2006-09-20 进入讨论组

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引用:http://www.qqread.com/hardware/cpu/news/2006/09/d210180.html

英特尔研发出全球首个混合硅激光器

　　新浪科技讯 9月18日消息，英特尔宣布与美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)成功研发了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器(Hybrid Silicon Laser)。该混合硅激光器既能发光也能传导光，可将硅光子学广泛应用于未来的计算机和数据中心。这项技术突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

研究人员已经能够将磷化铟(Indium Phosphide)的发光属性和硅的光路由能力整合到单一混合芯片中。当给磷化铟施加电压的时候，光进入硅片的波导(waveguide)，产生持续的激光束，这种激光束可驱动其他的硅光子器件。这种基于硅片的激光技术可使光子学更广泛地应用于计算机中，因为采用大规模硅基制造技术能够大幅度降低成本。

　　“这一技术使未来的计算机内部可采用低成本、万亿比特(TB)量级的光学‘数据通路’(data pipes)，并使高性能计算应用迎来新时代，”英特尔公司光子学技术实验室总监马里奥·潘尼西亚(Mario Paniccia)指出。“尽管离商品化仍有很长距离，但我们相信数十个、甚至数百个混合硅激光器会和其它硅光子学部件一起，被集成到单一硅基芯片上去。”

　　美国加州大学圣芭芭拉分校电气和计算机工程学教授约翰·鲍尔斯(John Bowers)指出，“通过结合美国加州大学圣芭芭拉分校在磷化铟方面的专业能力和英特尔公司在硅光子方面的专业能力，我们已研发出基于键合方法的一种新结构激光器，它能够用于晶圆级、半晶圆级和芯片级的应用，同时这也是将大规模的光学器件集成到一个硅平台上的一种可能的解决方案。这是开始低成本大批量生产高集成度硅光子芯片的标志。”

　　2004年，英特尔研究人员首次展示了带宽超过1GHz的硅激光调制器，比此前硅基调制记录快了近50倍。2005年，英特尔公司研究人员首次演示了硅可用来放大外部光源、利用拉曼效应(Raman effect)产生连续的片上激光(laser-on-a-chip)光波。

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