王者归来 DFI LP DK-P35主板超频评测

来源：超频网作者：出处：巧巧读书 2007-12-21 进入讨论组

九、BIOS详解——Genie子菜单内存延迟

DRAM Timing（内存延迟）

内存时序调节一直是DFI Lanparty系列的卖点之一，选项丰富，功能强大。从最上开始，Enhance Data transmitting（增强数据发送）和Enhance Addressing（增强寻址），这两项是在nForce 4时Lanparty系列就具备的内存加速功能，默认值是normal。设为Fast之后可大幅度提升内存效率，但前提是内存体质允许。此外第一项在Fast之上还有Turbo的选择，当然在内存高频率下想打开这个选择无异于天方夜谭。设计者的用意是当你无法使用高内存频率时用这个选择弥补性能损失。

T2 Dispatch：就是再熟悉不过的Command Rate，1T、2T的选项，设为Auto是2T，关闭就是1T。

CL、tRCD、tRP、tRAS：这四个内存最重要的基本参数，我想就不用多做解释了吧。

　　All Precharge to Act：全部预充电到执行，这个参数可以参照tRP的数值设置。

　　tRFC：很常见，是个数值较大的内存参数，降低后会对内存性能有轻微提升。通常主板中给出的这个选项都是分为25、35、42等固定数值，但DK-P35上允许你以1为单位无级调节。

　　Performance LVL：就是读取延迟，过低会导致无法开机，跟性能有少许关联，建议设置不低于7。

　　MCH ODT Latency：全称是Memory Contorl Hub On Die Termination Lantency，意译为内存控制器芯片终端潜伏，对性能和稳定性影响均不大，可以运行在1。

　　再往下tWR和tWTR都是我们耳熟能详的内存参数，对内存性能有一定影响，在大多数主板上它们都可以被设置到5以内，但在DK-P35主板上调节下限只能到8，且用这个数值仍无法开机，必须放宽。推测可能是DK-P35 BIOS这方面的内存优化方式与其它主板有差异。

　　tRRD:也是相当常见的内存参数，通俗叫法应该是RAS to RAS Delay，行地址选通脉冲之间的延迟，这里被称为ACT to ACT Delay。它对性能有相对较大的影响，可以被设置到5以内。

　　tRDWR：读到写延迟，对稳定性和性能有轻微影响，不可设置过低，至少大于等于6。

tWRWR：行列读写到读写延迟，对性能有轻微影响，可以参照tWTR的设置。

　　Lanparty DK-P35的主要内存时序设置基本介绍完了。可能一般用户除了4个重要的基本参数之外对其余附属参数的概念还不是很深入，这里给大家提供一个小窍门：内存写入通常需要更多的时间，因此与“Read to Write”（从读取到写入放电）关联的参数需要宽松一些的延迟，设置过低可能无法开机。而内存读取的效率要高一些，所以与“Write to Read”（从写入到读取放电）有关的参数可以运行在更低的时序下。

　　内存时序调节的介绍已接近尾声，DK-P35在内存调节上最出众的部分还是必须展现一下的。在DRAM timing的菜单里还有两个子菜单：Clock Setting Fine Delay和Read Delay Phase adjust。前者是时钟优化延迟设定，后者是读取延迟相位校准。

　　这两个子菜单中的设定分为两个内存通道独立调节，可以协调不同体质的内存在双通道模式下的延迟，尽可能地在保持稳定的前提下发挥内存最大性能。这些一般在分毫必争的极限超频比赛时才会涉及到，日常实用超频最好保持默认不变。

　　下图中有趣的是通道2的默认参数比通道1低一些。这意味着内存控制器对通道1的要求更为严格一些。