东芝起诉海力士侵犯多项内存/闪存专利

来源： 作者：Zxm（编译） 出处：巧巧读书 2007-10-28 进入讨论组

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NAND闪存的发明者东芝公司（TOSHIBA），近日起诉海力士（Hynix）半导体公司的日本与美国子公司，控告海力士侵犯了其内存/闪存专利。

这也是自富士通起诉三星、松下起诉LG之后，又一场日本与韩国半导体巨头之的较量，从中我们能感觉到日本与韩国在高科技领域里的争夺之激烈。

东芝公司表示，他们已经于星期二向美国德州联邦地方法院，星期一向日本东京联邦地方法院提起了诉讼请求。

东芝公司表示，海力士公司侵犯了其在美国的7项专利，包括DRAM芯片方面的专利，而在日本则侵犯了东芝的3项专利，全部与NAND闪存有关。

NAND闪存目前是数码相机、移动闪盘、手机存储方面的关键元件，市场诱惑力巨大。海力士于近期进入了这一市场。

东芝公司的发言人透露，在1996年8月，东芝曾当时的现代电子签署了一个授权协议，其中包括半导体产品。他们于2002年12月曾就延长授权协议进行谈判，但最终在费用问题上没有谈拢。

东芝公司在声明中表示，“谈判的失败，使得东芝不得不依靠法律来解决问题”。

另一方面，海力士半导体在韩国的发言人Kim Ah-young则表示，他们正在研究有关诉讼的详细细节。

“当分析结果出来后，我们计划会积极应战”，Kim Ah-young最后说到。

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