RAMBUS发布DDR、GDDR、XDR统一内存控制器接口单元方案

来源：作者：Zxm 出处：巧巧读书 2007-10-28 进入讨论组

以开发RDRAM与XDR DRAM而闻名的RAMBUS公司最近开始向老冤家DDR内存家族示好，于5月10日发布了DDR内存控制器接口单元（CIC，Controller Interface Cells)并宣布提供相关的服务。

该控制器支持目前主流的DDR1、DDR2，最高可到400MHz（800MHz的数据传输率），以及GDDR1、GDDR2、GDDR3显示内存，最高可到1600MHz的传输频率。

RAMBUS提供的CIC已经附带了全功能的物理层单元（PHY Cell)。RAMBUS表示，这将给客户提供很大的便利，以节省客户相关产品上市的周期，并降低他们的在设计方面的风险与成本。而且RAMBUS还为客户提供工程方面的服务并保证该接口可以工作在高频的系统环境中。RAMBUS对该项内存方案的市场前景非常乐观，认为其可应用的场合很多，包括消费电子多媒体应用、图形系统、PC机以及服务器。

“DDR内存接口的越来越快，其结果就是大大增加了设计的挑战性，很多用户都需要向他们提供方案。”RAMBUS内存接口分部副总裁Laura Stark说到，“如果采用RAMBUS的DDR接口方案，芯片的设计者可以更集中精力于芯片其他部分电路的设计，它与RDRAM和XDR DRAM的接口方案一起，构成了RAMBUS完整的解决方案，可以应付各种级别和性能需求。”

RAMBUS的DDR内存控制器接口由多个接口模块集成在一起，包括数据I/O与延迟锁定回路（DLL,Delay Lock Loops)等等，并进行了严格的检验。如果客户在自己的产品集成了这一接口单元，将会节省6-9个月的开发周期以及潜在的百万美元的开发成本，并使开发风险降到更低，从而有助于提高产品的上市速度与运营效率。

另外，RAMBUS的DDR内存接口控制单元还有一个特点就是提供了对XDR内存支持的“性能模式”选项，可以提2-8位的内存子系统位宽。依靠这一能力，客户可以用一颗芯片提供对两种内存产品的支持（不是同时支持），具备很高的性价比和更广阔的应用范围。

RAMBUS的DDR内存控制接口单元采用标准的CMOS工艺制造，制程工艺可在90nm、0.13um和0.18um之间选择，目前可立即投产的是0.13um等级，而且已经为消费电子和图形领域准备好了相关方案，针对其他领域的方案也将很快推出。

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