JEDEX深圳研讨会开幕专家论道内存发展

来源：作者：出处：巧巧读书 2007-10-28 进入讨论组

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3g

10月19日，由美国半导体标准行业协会(JEDEC)主办的第三届JEDEX研讨会在深圳举行，来自深圳地区的数百位设计、制造工程师参加了本次研讨会。

本次研讨涉及的主题有：无铅制造、逆向封装、测试及检测、辐射硬化、存储器模数鉴定及质量评估、焊接接口检查和SMT程序控制等。

在19日的开幕式上，Micron科技公司先进技术与战略营销执行总监Terry Lee先生介绍了Micron科技公司的产品开发情况以及未来的策略。三星公司产品计划与应用部资深副总裁Tae Sung Jung先生则介绍了全球内存的发展状况。

他指出新兴娱乐消费电子产品和3G将加大对内存的需求，到2004年，娱乐消费电子产品的总内存需求是12Gb，但到2007年，这个总的需求会达到100Gb！未来几年，NAND闪存的复合年增长率可达89%，而DRAM的复合年增长率更可达119%！不过他也强调内存价格未来是不断走低的趋势。

关于内存未来的发展，他指出一个方面是采用新的封装技术，如MCP多芯片封装技术，就是把多个芯片封装在一起，在本次研讨会上，三星展示了采用此封装技术的产品，其中一个封装了一个NOR闪存、2个NAND闪存和一个UtSRM内存。另外，他表示未来内存会采用新的材料，目前开发的有PRAM、MRAM、FRAM存储器，不过容量还有限制。

在为期两天的研讨中，还将举办十数场有关半导体产品可靠性、无铅技术、存储可靠性方面的讲座。

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