- 关 键 词：
近日在一次超大规模集成电路座谈会上，东芝公司公开了一种新的三维堆叠存储芯片技术，并不需要制程的改进，就能够在不大幅增加芯片面积的情况下提高存储密度和数据容量。
过去的堆叠存储技术，都是简单的将传统平面存储芯片一层一层的叠放起来，并不断重复这一过程。虽然这种方法可以提高芯片存储密度，但是却使制造过程更加复杂，耗时更长。
东芝凭借新的蚀刻技术，在晶圆上穿孔，制造出多层的门电极和绝缘层。，经过掺杂的硅柱填充这些孔洞后，门电极和绝缘层围绕这些硅柱有间隔的闪存电路。
东芝的新技术改变了整个闪存芯片的设计结构，可以在不增加芯片体积的情况下大幅度提高存储密度。根据东芝的说法，堆叠32层的情况下可以讲存储密度提高10倍。
目前，东芝还没有透露这一技术的投产计划。
更多内容请看Wlan组网----家庭专题专题，或进入讨论组讨论。
相关图文阅读
频道图文推荐
健 康 咨 询
时 尚 咨 询
相关专题
- Wlan组网----家庭专题 (4210篇文章)
- 超频很强悍 威刚X系列内存华丽亮相 (0次浏览)
- 金士顿神条出现极品周期 狂超DDR2 1200 (0次浏览)
- DDR3内存今年将大降价 有望成为市场主流 (0次浏览)
- 三星董事长称DRAM价格已经跌近谷底 (0次浏览)
- 多核成潮流 内存未来也要多核设计 (0次浏览)
