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台湾工业技术研究院（ITRI)表示，他们将在明年将一种DRAM的替代产品MRAM（磁性随机储存）推入实用阶段，另外三年内还将推出相变内存（PRAM)。
ITRI早在两年前就开始了相变内存的研发工作，目前已经申请了50项专利，生产了芯片原型，并完成了晶圆切割。
PRAM相比内存，可以在断电时保存数据，但是速度比现在的闪存快30倍，寿命也提高10倍，这意味着使用这种内存的电脑开关机就跟电视一样了。
目前Intel、IBM、奇梦达、意法半导体、三星、Hynix等也在积极开发PRAM产品。
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