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Intel、美光宣布量产34nm NAND闪存

巧巧电脑网络 2008-11-26     收藏此文 
intel和美光今天宣布,双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产,这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。 这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产。

作者:上方文Q

  Intel和美光今天宣布,双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产,这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。

  这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产,切割自300毫米晶圆,核心面积172平方毫米,在同类产品中是最小的。该芯片容量32Gb,一块晶圆可以换来大约1.6TB的合计容量,另外通过标准的48引脚TSOP封装,还可以将这种芯片做成更大容量的NAND闪存设备,比如两个八裸片封装就能实现64GB。

  Intel表示,这种34nm 32Gb NAND闪存芯片是专为固态硬盘设计的,能带来更大的容量、更小的体积、更低的价格。

  该芯片样品于今年6月份供货,如今得以提前投入大批量生产。

Intel、美光宣布量产34nm NAND闪存

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你是不是遇到过下面的尴尬:想装系统的时候,没有光盘或光驱;电脑上虽然保存了系统恢复盘镜像文件,却没有刻录机或空白光盘;光盘被刮花,怎么也装不上系统……这时,如果有一个能够装系统的闪存,一切迎刃而解。 现在不少闪存都有两个分区,一个是光盘格式的分区。

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