XTUNE DDR2-1066 512MB*2产品剖析
● 更多内存模组细节
既然面向零售市场，定位超频玩家，AENEON XTUNEDDR2内存的外形设计也放弃了标准产品保守风格。它们配置了漂亮的黑色铝质外壳来提供芯片的硬件保护和辅助散热，这种设计虽然使内存模组的成本稍有提升，但却能够明显的提升产品形象，已经被各个品牌的高档产品广泛使用，最终用户也非常乐于接受这类产品。
AENEON XTUNE DDR2-1066 512MB
为了安全起见，笔者没有进行拆除外壳的动作，模组使用的奇梦达内存芯片细节无从知晓。从侧面观察PCB基本状况：内存使用绿色6层板基，单面贴装8枚片内存芯片，金手指镀层饱满，PCB上贴片电阻密布，各处的细节表现都体现出了大厂产品的精工细造风格。
XTUNE logo特写
内存模组的产品标签
产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度和延迟。亿能内存使用无铅工艺制造，模组组装产地在马来西亚。
● SPD信息分析
CPU-Z SPD页截图
CPU-Z 1.40显镜?/SPAN>AENEON XTUNE DDR2-1066 SPD信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分设定相对特殊，仅包含一组EPP DDR2-1066的设置，为5-5-5-15。这种SPD时序表仅能在支持EPP技术的主板上生效，而在其他主板上需要在主板BIOS中手动设定。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。
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