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奇梦达公司推出的各类DDRII颗粒在主流市场非常受欢迎，而这次宇瞻DDRII667 CL4则选择了奇梦达公司DDRII667颗粒中定位最为高端的HYB18T512800BF-3产品，是目前512Mb颗粒中CL值最低的，该颗粒采用PG-TFBGA-60方式封装，可以在标准SO-DIMM模块高度中最高安装16片颗粒，对于那些8片颗粒、单颗粒1Gb的内存芯片来说，拥有先天的成本优势。
宇瞻DDRII667 CL4内存采用奇梦达顶级颗粒
宇瞻DDRII667 CL4 1GB内存模块的内存延迟时间为4-4-4-15，相比主流DDRII 667MHz内存的5-5-5-15提升了一个级别，对于那些追求高性能的用户来说，CL值的提升非常可贵。
宇瞻DDRII667 CL4内存做工及金手指特写
CPU-Z中显示的内存信息
这两条DDRII667内存的做工表现出色，虽然和主流内存一样采用6层PCB板设计，但是从电路走线方面来看，这两条内存还是非常规整的，金手指也非常有光泽，做工表现值得肯定。
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